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真空鍍膜機(jī)CT-1800B生產(chǎn)線
真空鍍膜機(jī)CT-1800B生產(chǎn)線
產(chǎn)品概述:
真空鍍膜是指在高真空的條件下加熱金屬或非金屬材料,使其蒸發(fā)并凝結(jié)于鍍件(金屬、半導(dǎo)體或絕緣體)表面而形成薄膜的一種方法。例如,真空鍍鋁、真空鍍鉻等。[1]中文名真空鍍膜英文名vacuum deposi…
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真空鍍膜機(jī)CT-1800B生產(chǎn)線

    真空鍍膜是指在高真空的條件下加熱金屬或非金屬材料,使其蒸發(fā)并凝結(jié)于鍍件(金屬、半導(dǎo)體或絕緣體)表面而形成薄膜的一種方法。例如,真空鍍鋁、真空鍍鉻等。 [1]

中文名 真空鍍膜 英文名 vacuum deposition

條    件 真空條件

特    點(diǎn) 薄膜和基體選材廣泛等

方    法 真空蒸鍍等

學(xué)    科 機(jī)械工程

簡(jiǎn)述編輯

   真空鍍膜是真空應(yīng)用領(lǐng)域的一個(gè)重要方面,它是以真空技術(shù)為基礎(chǔ),利用物理或化學(xué)方法,并吸收電子束、分子束、離子束、等離子束、射頻和磁控等一系列新技術(shù),為科學(xué)研究和實(shí)際生產(chǎn)提供薄膜制備的一種新工藝。簡(jiǎn)單地說(shuō),在真空中把金屬、合金或化合物進(jìn)行蒸發(fā)或?yàn)R射,使其在被涂覆的物體(稱基板、基片或基體)上凝固并沉積的方法,稱為真空鍍膜。眾所周知,在某些材料的表面上,只要鍍上一層薄膜,就能使材料具有許多新的、良好的物理和化學(xué)性能。20世紀(jì)70年代,在物體表面上鍍膜的方法主要有電鍍法和化學(xué)鍍法。前者是通過(guò)通電,使電解液電解,被電解的離子鍍到作為另一個(gè)電極的基體表面上,因此這種鍍膜的條件,基體必須是電的良導(dǎo)體,而且薄膜厚度也難以控制。后者是采用化學(xué)還原法,必須把膜材配制成溶液,并能迅速參加還原反應(yīng),這種鍍膜方法不僅薄膜的結(jié)合強(qiáng)度差,而且鍍膜既不均勻也不易控制,同時(shí)還會(huì)產(chǎn)生大量的廢液,造成嚴(yán)重的污染。因此,這兩種被人們稱之為濕式鍍膜法的鍍膜工藝受到了很大的限制。

    真空鍍膜則是相對(duì)于上述的濕式鍍膜方法而發(fā)展起來(lái)的一種新型鍍膜技術(shù),通常稱為干式鍍膜技術(shù)。

分類編輯

    真空鍍膜技術(shù)一般分為兩大類,即物理氣相沉積(PVD)技術(shù)和化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)。

    物理氣相沉積技術(shù)是指在真空條件下,利用各種物理方法,將鍍料氣化成原子、分子或使其離化為離子,直接沉積到基體表面上的方法。制備硬質(zhì)反應(yīng)膜大多以物理氣相沉積方法制得,它利用某種物理過(guò)程,如物質(zhì)的熱蒸發(fā),或受到離子轟擊時(shí)物質(zhì)表面原子的濺射等現(xiàn)象,實(shí)現(xiàn)物質(zhì)原子從源物質(zhì)到薄膜的可控轉(zhuǎn)移過(guò)程。物理氣相沉積技術(shù)具有膜/基結(jié)合力好、薄膜均勻致密、薄膜厚度可控性好、應(yīng)用的靶材廣泛、濺射范圍寬、可沉積厚膜、可制取成分穩(wěn)定的合金膜和重復(fù)性好等優(yōu)點(diǎn)。同時(shí),物理氣相沉積技術(shù)由于其工藝處理溫度可控制在500℃以下,因此可作為最終的處理工藝用于高速鋼和硬質(zhì)合金類的薄膜刀具上。由于采用物理氣相沉積工藝可大幅度提高刀具的切削性能,人們?cè)诟?jìng)相開(kāi)發(fā)高性能、高可靠性設(shè)備的同時(shí),也對(duì)其應(yīng)用領(lǐng)域的擴(kuò)展,尤其是在高速鋼、硬質(zhì)合金和陶瓷類刀具中的應(yīng)用進(jìn)行了更加深入的研究。

     化學(xué)氣相沉積技術(shù)是把含有構(gòu)成薄膜元素的單質(zhì)氣體或化合物供給基體,借助氣相作用或基體表面上的化學(xué)反應(yīng),在基體上制出金屬或化合物薄膜的方法,主要包括常壓化學(xué)氣相沉積、低壓化學(xué)氣相沉積和兼有CVD和PVD兩者特點(diǎn)的等離子化學(xué)氣相沉積等。

特點(diǎn)編輯

   真空鍍膜技術(shù)與濕式鍍膜技術(shù)相比較,具有下列優(yōu)點(diǎn):

   (1)薄膜和基體選材廣泛,薄膜厚度可進(jìn)行控制,以制備具有各種不同功能的功能性薄膜。

   (2)在真空條件下制備薄膜,環(huán)境清潔,薄膜不易受到污染,因此可獲得致密性好、純度高和涂層均勻的        薄膜。

   (3)薄膜與基體結(jié)合強(qiáng)度好,薄膜牢固。

   (4)干式鍍膜既不產(chǎn)生廢液,也無(wú)環(huán)境污染。

  真空鍍膜技術(shù)主要有真空蒸發(fā)鍍、真空濺射鍍、真空離子鍍、真空束流沉積、化學(xué)氣相沉積等多種方          法。除化學(xué)氣相沉積法外,其他幾種方法均具有以下的共同特點(diǎn):

   (1)各種鍍膜技術(shù)都需要一個(gè)特定的真空環(huán)境,以保證制膜材料在加熱蒸發(fā)或?yàn)R射過(guò)程中所形成蒸氣分子       的運(yùn)動(dòng),不致受到大氣中大量氣體分子的碰撞、阻擋和干擾,并消除大氣中雜質(zhì)的不良影響。

   (2)各種鍍膜技術(shù)都需要有一個(gè)蒸發(fā)源或靶子,以便把蒸發(fā)制膜的材料轉(zhuǎn)化成氣體。由于源或靶的不斷改       進(jìn),大大擴(kuò)大了制膜材料的選用范圍,無(wú)論是金屬、金屬合金、金屬間化合物、陶瓷或有機(jī)物質(zhì),都      可以蒸鍍各種金屬膜和介質(zhì)膜,而且還可以同時(shí)蒸鍍不同材料而得到多層膜。

    (3)蒸發(fā)或?yàn)R射出來(lái)的制膜材料,在與待鍍的工件生成薄膜的過(guò)程中,對(duì)其膜厚可進(jìn)行比較精確的測(cè)量       和控制,從而保證膜厚的均勻性。

    (4)每種薄膜都可以通過(guò)微調(diào)閥精確地控制鍍膜室中殘余氣體的成分和質(zhì)量分?jǐn)?shù),從而防止蒸鍍材料的        氧化,把氧的質(zhì)量分?jǐn)?shù)降低到最小的程度,還可以充入惰性氣體等,這對(duì)于濕式鍍膜而言是無(wú)法實(shí)        現(xiàn)的。

    (5)由于鍍膜設(shè)備的不斷改進(jìn),鍍膜過(guò)程可以實(shí)現(xiàn)連續(xù)化,從而大大地提高產(chǎn)品的產(chǎn)量,而且在生產(chǎn)過(guò)        程中對(duì)環(huán)境無(wú)污染。

    (6)由于在真空條件下制膜,所以薄膜的純度高、密實(shí)性好、表面光亮不需要再加工,這就使得薄膜的         力學(xué)性能和化學(xué)性能比電鍍膜和化學(xué)膜好。

常用方法編輯

   真空鍍膜的方法很多,大體要分為:

   (1)真空蒸鍍:將需鍍膜的基體清洗后放到鍍膜室,抽空后將膜料加熱到高溫,使蒸氣達(dá)到約13.3Pa而使蒸氣分子飛到基體表面,凝結(jié)而成薄膜。

   (2)陰極濺射鍍:將需鍍膜的基體放在陰極對(duì)面,把惰性氣體(如氬)通入已抽空的室內(nèi),保持壓強(qiáng)約1.33~13.3Pa,然后將陰極接上2000V的直流電源,便激發(fā)輝光放電,帶正電的氬離子撞擊陰極,使其射出原子,濺射出的原子通過(guò)惰性氣氛沉積到基體上形成膜。

   (3)化學(xué)氣相沉積:通過(guò)熱分解所選定的金屬化合物或有機(jī)化合物,獲得沉積薄膜的過(guò)程。

   (4)離子鍍:實(shí)質(zhì)上離子鍍系真空蒸鍍和陰極濺射鍍的有機(jī)結(jié)合,兼有兩者的工藝特點(diǎn)。表6-9列出了各種鍍膜方法的優(yōu)缺點(diǎn)。

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